반도체센서의원리에바도체부분ppt세비나data(자료)
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작성일 22-12-30 05:50
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설명
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센서 (반도체부분)
20072035
20110704
이민재
_SLIDE_2_
2
1. Introduction
불순물 반도체의 정이
순수 반도체의 단결정(Si)에 소량의 불순물, 즉 3족이나 5족의 원소를 혼입한 것을 불순물 반도체라고 한다.
이러한 불순물 반도체는 N형 반도체, P형 반도체로 나뉠 수 있다아
불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다. 이 준위는 0 K에서 전자도 충만되어 있고, 또 이들 전자를 전도대역으로 여기시키는 데는 극히 적은 열적 에너지가 소모된다된다. 이와 같은 불순물준위를 도너(donor)준위라 하고, 5족의 불순물은 도너불순물이라 한다. 낮은 온도에서 전자를 가전자대역으로부터 이 불순물준위로 여기시켜 가전자 대역에 정공을 남긴다.
이 불순물 준위는 가전자 대역으로부터 전자를 받아들이기(accept) 때문…(생략(省略))
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다.
이러한 불순물 반도체는 N형 반도체, P형 반도체로 나뉠 수 있다아
불순물 첨가에 의한 저항률이 변한다.
반도체 결정속에 포함된 불순물이 증가되면 저항률이 감소되고 도전성이 증가
_SLIDE_3_
Introduction
실리콘(Si) 반도체
_SLIDE_4_
4
Doping
N-doping
Negative charge carriers (electrons)
GaAs
Donor impurity : S, Se, Te
As 치환
P-doping
Positive charge carriers (holes)
GaAs
Acceptor impurity : Zn, Mg
Ga 치환
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5
Donor
도너(donor)
주기율표 5족으로 부터의 불순물은 Ge 의 전도대역 아주 가까운 곳에 에너지 준위를 생기게 한다. 우리가 흔히 application에 이용하는 반도체는 바로 이 불순물 반도체이다.
약 100 K 이상에서는 실질적으로 불순물준위에 있던 모든 전자가 `공여`(donate)된다된다.
반도체 결정속에 포함된 불순물이 증가되면 저항률이 감소되고 도전성이 증가
_SLIDE_3_
Introduction
실리콘(Si) 반도체
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Doping
N-doping
Negative charge carriers (electrons)
GaAs
Donor impurity : S, Se, Te
As 치환
P-doping
Positive charge carrier...
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센서 (반도체부분)
20072035
2xxx0704
이민재
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1. Introduction
불순물 반도체의 정이
순수 반도체의 단결정(Si)에 소량의 불순물, 즉 3족이나 5족의 원소를 혼입한 것을 불순물 반도체라고 한다. 우리가 흔히 application에 이용하는 반도체는 바로 이 불순물 반도체이다.
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Acceptor
억셉터(acceptor)
3족으로 부터의 원자는 가전자대역 가까이에 불순물 준위를 형성한다.
